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碳化硅陶瓷的制備工藝

點擊次數(shù):   更新時間:2025-09-24 11:13:09   分    享:
碳化硅陶瓷是一種以碳化硅(SiC)為主要成分的無機非金屬材料,具有高硬度、高強度、耐高溫、耐腐蝕、耐磨、低熱膨脹系數(shù) 高導熱性等優(yōu)異性能。
碳化硅陶瓷的制備工藝直接影響其性能和應用,常見方法包括:
反應燒結:碳源與碳化硅粉混合,經滲硅反應生成β-SiC,適合大尺寸復雜形狀結構件。
無壓燒結:添加燒結助劑(如B?C、Y?O?),在2000-2150℃下致密化,分為固相燒結和液相燒結。
熱壓燒結:加熱同時施加軸向壓力,降低燒結溫度,縮短時間,得到晶粒細小、密度高的產品。
放電等離子燒結(SPS):快速升溫并施加脈沖電流,短時間內完成燒結,制備納米碳化硅材料。
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